WCT-120TS – 温度依赖性寿命测量仪

晶片测量仪提供依赖温度的载流子复合寿命校准分析。

WCT-120TS是能测量依赖温度的载流子复合寿命的仪器。

产品概述

WCT-120TS温度阶段仪器和我们的WCT-120仪器独特的测量和分析技术都一样，但是WCT-120TS多了一个功能，它能测量温度范围25℃-200℃的硅片的载流子复合寿命。Sinton公司研发的准稳态光电导（QSSPC）寿命测量方法以及瞬态光电导技术都可用于测量晶片的寿命。

WCT-120TS 系统功能

初步应用:
在大温度范围内测量硅晶片中载流子复合寿命。

其他应用程序:

  • 监测初始材料质量
  • 晶片加工过程中检测重金属杂质
  • 评估表面钝化和发射极掺杂扩散
  • 使用隐含V测量评估过程引起的分流

更多信息

想要了解产品的主要功能，规格和更多的信息，请下载产品说明书。WCT-120TS product note (PDF – 563k).

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温度和依赖注射的寿命结果。