硅锭

BLS/BCT: 硅块特征测试仪

与直拉硅、多晶硅砖和硅锭不需要接触就可以简单地、准确地测量硅块的真实寿命和电阻。锯切之前,对表面也不需做处理,就可测量硅块的真实寿命。

硅晶片

WCT-120: 标准的R&D晶片寿命测量仪

该标准的R&D工具对于过程优化有最高的准确度。能够测量初始材料质量,表面钝化,杂质扩散。若有荧光传感器通过校对后可进行QSSPL (Quasi-Steady-State/准稳态) 测量。

WCT-120TS: 温度依赖性寿命测量仪

晶片寿命测量仪能够对于25-200°C范围内依赖温度的载流子重组寿命提供校准分析。当WCT-120增加了分析其关键特征包括缺陷的温度依赖性的功能,就能够实现R&D等级的分析。

WCT-120PL: 用光致发光检测器测量晶片寿命

使用标准方法和光致发光两种方法测量硅片校准之后的载体复合寿命。

IL-800: 内部晶片测试仪

能够为大功率高输出内部生产环境提供先进的R&D等级的分析。使用测量的寿命,俘获效应, 电阻数据能在预先处理过程中去除低质量的晶片。在进行参杂扩散和氮化物沉积时,达到过程控制和过程最优化。

电池片

FCT-450: 电池片光线I-V测试仪

对电池片的I-V光线和Suns-Voc数据进行先进的研发分析。对有标准的前接式卡盘和互换式定制卡盘的多种电池片设计能够进行标准的测量。

FCT-750: 电池片内部光线I-V测试仪

每小时对3600个单元进行单次闪光测试,这些测试包括内联测试, I-V光线测试和Suns-Voc测试。能够准确测量传统或后接式高效电池片。

Suns-Voc: 后扩散过程控制仪

对于前后金属化、HIT处理的过程控制和过程最优化来说是最好的工具。开路测量方法表明了对于任何电池片原材料都达到了最大效率。

电池组件

FMT-500: 闪光组件测试仪

使用专利电子负载技术可以测量任何晶硅组件,包括高电容组件,高效组件。数据结果包括Suns-Voc和I-V曲线。至今测试了超过6GW(十亿瓦特)的产品。对于研发应用也是理想的工具。

软件更新

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可提供的更新

WCT v5.48
出厂日期 8/11/2017
SunsVoc v5.03
出厂日期 3/27/2017
BCT/BLS v5.15
出厂日期 11/2/2017