BLS-I/BCT-400:硅块表征工具
简单、精确、无接触地测量 Cz 或多晶硅砖、硅锭真正的体寿命和电阻率。测量切片前真正的体材料寿命而无需表面处理。
简单、精确、无接触地测量 Cz 或多晶硅砖、硅锭真正的体寿命和电阻率。测量切片前真正的体材料寿命而无需表面处理。
标准的用于工艺优化的研发工具,具备现有技术的最高测试精度。能够测量初始材料质量、表面钝化和掺杂扩散。可选MX型号,能够测试 230 mm 的大样品。
该硅片寿命测试仪能够对载流子复合寿命随温度变化的关系进行校准分析,温度范围为 25-200°C。与 WCT-120 具备相同研发水平的功能之外,还能够分析样品包括内部缺陷在内的关键特性随温度的变化。
同时使用标准光电导方法(QSSPC),和光致发光方法(QSSPL),对载流子复合寿命进行校准测量。
在高产量的产线环境提供高级研发水平的分析。可以基于所测的寿命、陷阱浓度及电阻率,在加工前就淘汰掉低质量的硅片。也适用于对掺杂扩散和氮化硅沉积等步骤进行工艺控制和优化
先进的太阳能电池研发分析,测试结果包含光照 I-V 和 Suns-Voc 数据。标准的前接触式测试台卡盘以及可以灵活切换的定制卡盘,能够对各种电池结构进行精确测量。
通过单次闪光对电池的光照 I-V 和 Suns-Voc 特性进行产线测试,每小时可测试多达4800 个单元。能够精确测量高效率传统或背接触式太阳电池。
用于浆料烧结工艺优化和控制的最佳工具。开路方法的测试结果指明了各种电池半成品制成电池后的效率上限。
使用已获专利的电子负载技术,能够测量各种晶硅组件,包括高电容、高效率组件。测试结果包括Suns-Voc 和 I-V 曲线。至今已测试超过 20 GW 的产品。对于研发也是理想工具。